SJ 50033/86-1995 半导体分立器件 ＣＳ５１１４～ＣＳ５１１６型硅Ｐ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
时间:2024-05-12 22:22:36 来源: 标准资料网 作者：标准资料网 阅读：9254
基本信息
| 标准名称： | 半导体分立器件 ＣＳ５１１４～ＣＳ５１１６型硅Ｐ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 |
| 英文名称： | Semiconductor discrete devices-Detail specification for Type CS5114~CS5116 silicon P-channel deplition mode field-effect transistor |
| 中标分类： |
通信、广播 >>
通信、广播综合 >>
技术管理 |
| 发布日期： | 1995-05-25 |
| 实施日期： | 1995-12-01 |
| 首发日期： | 1900-01-01 |
| 作废日期： | 1900-01-01 |
| 出版日期： | 1900-01-01 |
| 页数： | 11页 |
适用范围
没有内容
前言
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目录
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引用标准
没有内容
所属分类： 通信 广播 通信 广播综合 技术管理
MIL-STD-636 (NOTICE 4), MILITARY STANDARD: VISUAL INSPECTION STANDARDS FOR SMALL ARMS AMMUNITION THROUGH CALIBER .50 (7 OCT 1996)., Holders of MIL-STD-636 will verify that page changes. andadditions indicated above have been entered. This notice pagewill be retained as a check sheet. This issuance, together withappended pages, is a separate publication. Each notice is to beretained by stocking points until the standard is completelyrevised or canceled.【英文标准名称】:ESDAssociationStandardPracticefortheElectrostaticDischargeSensitivityTesting-HumanMetalModel(HMM)-ComponentLevel
【原文标准名称】:静电放电敏感试验的ESD联合标准实施规程.人体金属模型(HMM).元件等级
【标准号】:ANSI/ESDSP5.6-2010
【标准状态】:现行
【国别】:美国
【发布日期】:2010
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国国家标准学会(US-ANSI)
【起草单位】:ANSI
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:联合;元件;放电;电学测量;静电放电;人机工程;磁测量;金属;计量学;模型;灵敏度;试验
【英文主题词】:Associations;Components;Discharge;Electricalmeasurement;Electrostaticdischarges;Human;Magneticmeasurement;Metals;Metrology;Models;Sensitivity;Testing
【摘要】:
【中国标准分类号】:L15
【国际标准分类号】:17_220_20
【页数】:
【正文语种】:英语